반도체 분야 전문 애널리스트인 앤드류 루(Andrew Lu)에 따르면 삼성전자는 10nm 공정 기술 개발에서 TSMC보다 1분기 가량 앞선 것으로 보인다. 삼성전자와 TSMC는 2017년 초 “2017년 2/4분기 중 퀄컴과 미디어텍, 화웨이의 반도체 자회사인 하이실리콘 등을 위한 10nm 공정의 파운드리 서비스를 시작할 예정”이라고 밝힌 바 있다.

루는 시장 조사 회사인 스마트카르마(Smartkarma)용 보고서에서 “삼성은 2017년 3월 15일 이전 발표 예정 시기보다 빨리 10nm Low Power Early(LPE) 프로세스를 적용한 웨이퍼 7만장을 출하했다고 발표했다.”고 말했다.

이 보고서에서 “TSMC는 미디어텍, 화웨이 및 하이실리콘를 위한 10nm 공정 개발을 가속화했지만 삼성의 10nm 공정 개발 스케줄보다 늦어진 것이다. 이런 배경에는 미디어텍의 10nm 칩 디자인이 여러 차례 취소되었기 때문이다. 예전 양사의 경쟁에서 TSMC가 앞설 것이라는 관측이 컸다.”고 말했다.

한편 인텔은 알테라 외에 네트로놈(Netronome)과 LG전자 등을 위한 10nm 공정 파운드리 사업을 시작할 예정이었지만, 이제 삼성과 TSMC 쪽이 인텔을 몇 분기 정도 앞서게 되었다. 삼성과 TSMC, 인텔은 최첨단 기술 개발에 따른 이익 확보를 위해 삼파전을 벌이고 있다.

루에 따르면 삼성은 10nm 공정 기술을 적용해 자사의 SoC(System on Chip) 엑시노스 9 시리즈 8895, 퀄컴의 최신 SoC 스냅드래곤 835를 생산 중인 것으로 보인다. 엑시노스 8895와 스냅드래곤 835의 수율은 약 70%로 가정할 때 삼성은 지금까지 10nm 과정 SoC를 1,920만개 출하한 것으로 전망된다. 따라서 루는 “2017년 5월 말까지 삼성의 차세대 스마트폰 갤럭시 S8 판매가 시작될 것”이라고 추측했다.

삼성은 2016년 갤럭시 S7의 배터리 발화 사고로 큰 곤경에 처했다. 갤럭시 S8은 사고 후 처음으로 발표하는 최초의 플래그십 제품이다. 언론보도에 따르면 갤럭시 S8은 이르면 2017년 3월 29일 발표될 전망이다.

최근 삼성은 기존 프로세스 로드맵인 10nm 및 7nm 과정에 8nm와 6nm 과정을 추가했다고 밝혔다. 루는 “삼성은 8nm와 6nm 과정을 개발함으로써 TSMC가 지금까지 중간적 공정 기술 개발을 통해 유지해 온 리드를 저지하게 될 것”이라고 말했다.

TSMC는 그동안 10nm와 16nm의 중간인 12nm 공정과 20nm와 28nm의 중간인 22nm 공정 등을 개발함으로써 성능과 비용측면에서 경쟁력을 확보해 왔다. 루는 “삼성이 중간 공정의 프로세스 기술을 개발하겠다고 밝힌 상황에서 TSMC는 경쟁력을 확보할 여지가 거의 남아 있지 않다고 생각된다.”고 지적했다.

베타뉴스 우예진 기자 (w9502@betanews.net)
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