곧 선보일 삼성 갤럭시S8은 전작인 갤럭시S7 보다 어떤 점에서 진화를 이뤘을까?

美 IT미디어 BGR은 현지시간 4일, 삼성 갤럭시S8의 예상 성능에 대해 자세하게 다룬 기사를 보도했다.

그의 이야기에 의하면 갤럭시S8은 10nm 핀펫 기술의 퀄컴 스냅드래곤 835 칩셋을 사용하는데, 이 칩셋은 갤럭시S7에 포함된 스냅드래곤 820보다 크기는 줄이고 성능은 20% 더 올려 굉장히 빠른 성능을 보여준다는 것.

하지만 스냅드래곤 835의 진정한 장점은 전작보다 25% 더 전력 관리 능력이 높아진 점이다. 즉, 갤럭시S8은 갤럭시S7과 동일한 크기의 외형을 지니고도 완충시 25% 더 오랫동안 쓴다는 말이다.

스냅드래곤 835를 품은 갤럭시S8은 USB-C 인터페이스를 사용해 퀵차지4 기능을 새로 지원하는데, 이는 5분 충전으로 5시간동안 통화를 할 수 있을 정도로 빠른 충전이 가능할 수준이라고 매체는 설명했다.

퀵차지4 기술을 사용하면 기존보다 20% 더 빨리 충전되고, 30% 더 충전효율이 높아진다. 이와는 달리 빠른 충전에도 불구하고 발열수준은 기존보다 낮을 것으로 기대된다.

갤럭시S8의 램은 1866MHz 속도를 지닌 LPDDR4x 메모리를 내장해 전체적으로 빠른 속도를 뽐낼 것으로 매체는 전망했다.

데이터 통신 속도도 기존 갤럭시S7보다 진화를 이룰 전망이다.
매체는 갤럭시S8에 내장된 스냅드래곤 835 칩셋이 LTE 다운로드 속도가 최대 1기가비트. 업로드 속도가 최대 150메가비트인 내장형 X16 LTE 모뎀을 내장하기 때문에 기존보다 엄청나게 빠른 무선통신 속도를 뽐낼 것으로 보고있다.

무선랜 기능의 경우도 4x4 MU-MIMO 802.11ac 를 지원하며, 추가 칩셋을 사용하게 되면 초당 최대 4.6기가비트 속도를 내는 802.11ad의 속도도 낼 수 있을 것으로 전망된다.

또한 지난해 말부터 이슈가 되고있는 블루투스5 지원, 듀얼 1천6백만 화소 카메라, 듀얼 LED플래시, 더 빠르고 정확한 하이브리드 오토 포커싱 기능으로 압도적인 카메라 성능 또한 기대되고 있다.

이렇듯 곧 출시될 삼성 갤럭시S8은 기존작인 갤럭시S7에 비해 외형 뿐 아니라 내부 성능적인 부분에서도 큰 진화를 이룰 것으로 보인다고 매체는 전했다.

<갤럭시S8에 들어갈 것으로 전망되는 스냅드래곤 835칩셋(사진 중앙). 갤럭시S7에 들어간 스냅드래곤 820칩셋(사진 좌측)보다 더 작아지고 성능은 더 높아졌다. / 출처: 퀄컴>

베타뉴스 김성욱 기자 (betapress@betanews.net)
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