현재 퀄컴의 플래그십 CPU는 삼성의 라이벌인 대만 TSMC에서 제작중인데, 이를 다시 삼성이 수주할 수 있다는 전망이 나오면서 관심이 몰린다.

삼성전문 소식통인 샘모바일은 차후 삼성이 퀄컴 스냅드래곤8 4세대 CPU를 다시 만들 수 있다고 전망했다.

그는 유명 애널리스트 밍치 궈의 말을 인용해 퀄컴이 인텔 파운드리 서비스(IFS)에서 20A 제조 공정을 사용해 제조 예정이었던 시스템 온 칩(SoC) 개발을 중단할 수 있다고 전했다.

왜 퀄컴이 인텔 파운드리와 개발을 중단하려는지 정확한 정보는 확인되지 않았지만, 많은 전문가들은 인텔 20A 공정의 높은 비용 때문에 퀄컴이 개발을 중단하려는 가능성이 높다고 점쳤다.

퀄컴은 최근 전세계 스마트폰 판매 부진으로 인해 프로세서 판매 저조 문제를 겪고있으며, 재정적으로 어려움에 봉착한 상태이기 때문에 인텔의 높은 가격 요구를 감당하기 힘들다는 것.

퀄컴 스냅드래곤8 4세대는 인텔의 20A 제조 공정으로 만들어질 예정이었는데, 만약 퀄컴이 인텔과 손을 잡지 않는다면 그 다음 타자는 삼성이 될 가능성이 대단히 높다.

현재 스냅드래곤8 2세대 CPU를 제작중인 대만 TSMC는 이미 애플 아이폰15 시리즈에 내장될 애플 A17 CPU를 제작하기 위해 자사 역량의 90%를 총동원하고 있기 때문에 퀄컴 스냅드래곤8 4세대 칩셋을 준비하긴 힘들어보인다.

또한 삼성은 과거 퀄컴과 협업을 통해 수차례 스냅드래곤을 제작한 경험이 있고, 엑시노스 CPU도 제작하고 있기 때문에 능력 또한 충분하다.

한마디로 퀄컴은 자의든 타의든 삼성 파운드리의 3GAP 공정을 통해 스냅드래곤8 4세대 칩셋을 제작해야 하는 상황이며, 삼성 파운드리의 3GAP 제조 공정에서 제조된 스냅드래곤8 4세대 칩셋은 TSMC의 3NE 제조 공정에서 제조된 칩셋보다 더 나은 성능을 발휘할 수 있다는 것이 매체의 설명이다.

삼성 파운드리의 3nm 제조 공정은 TSMC의 3nm 제조 공정에 사용되는 기존 FinFET 기술보다 우수한 GAA(Gate All Around) 기술을 사용하는데, GAA는 쓸데없는 전류 낭비를 막고 구동 전류를 증가시키며 전류 흐름을 더욱 정밀하게 통제할 수 있는 장점을 가진다.

이러한 개선 사항 덕분에 삼성이 스냅드래곤8 4세대 칩셋을 만든다면 성능은 더 빨라지고 전력 소비는 줄어들 것으로 보인다.

과거 삼성 파운드리는 3나노(nm) 및 4나노와 같은 고급 제조 공정시 칩셋 수율이 낮았고, 결국 이 문제를 해결못해 퀄컴은 스냅드래곤8 2세대 칩셋 제작을 TSMC로 맡겼는데, 다행히 삼성 파운드리는 3나노 공정의 수율을 60% 이상으로 끌어올리는 데 성공해 TSMC 보다 경쟁력을 얻었다고 매체는 전했다.

또한 삼성 파운드리에서 제조하는 스냅드래곤8 4세대는 TSMC에서 제조하는 것보다 더 빠를 뿐만 아니라 비용도 더 저렴할 수 있어 퀄컴 입장에서 이득이라고 매체는 덧붙였다.

이 외에도 일부 소문으로는 퀄컴이 삼성 파운드리와 TSMC를 모두 사용하여 스냅드래곤8 4세대 칩셋을 제작할 수 있다고 알려졌다.

참고로 애플은 과거 아이폰6s, 아이폰SE 및 아이패드9.7(2017)에 사용된 A9 칩을 TSMC와 삼성 파운드리에서 모두 제작한 바 있다.

삼성은 내년 초 출시하는 갤럭시S24에는 스냅드래곤8 3세대 CPU를, 내후년에 출시하는 갤럭시S25에는 스냅드래곤8 4세대 CPU를 사용할 전망이다.

베타뉴스 김성욱 기자 (betapress@betanews.net)
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